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武汉普赛斯仪表有限公司

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SiC MOS三代半功率器件静态测试设备
静态特性测试挑战 随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态 		2024-11-13
宽量程半导体参数分析仪30μV-1200V/1pA-100A测试
产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简 		2024-11-13
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半导体静态参数测试仪IGBT检测设备
普赛斯功率器件静态测试解决方案普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参 		2024-11-13
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SiC器件参数测试仪功率半导体测试设备认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询18140663476；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领 		2024-11-13
大功率数字源表+高压源表
E系列大功率数字源表+高压源表特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台较大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测 		2024-11-13
wat半导体参数测试设备+晶圆片检测仪
wat半导体参数测试设备+晶圆片检测仪优势：IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台能够覆盖从材料、晶圆、 		2024-11-13
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