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武汉普赛斯仪表有限公司

仪器仪表、电子产品的研发、生产、销售；电子技术服务

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igbt静态参数测试设备igbt测试仪
IGBT简介：IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由 		2025-03-31
半导体参数分析仪iv+cv测试仪
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速 		2025-03-31
传感器性能测试台霍尔延时响应测试设备
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲 		2025-03-31
功率器件CV测试系统CV测试机
功率器件CV测试系统CV测试机方案普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测 		2025-03-31
SiC MOS三代半功率器件静态测试设备
静态特性测试挑战 随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态 		2025-03-31
SiC MOS三代半功率器件静态测试设备
静态特性测试挑战 随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态 		2025-03-31
宽量程半导体参数分析仪30μV-1200V/1pA-100A测试
产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简 		2025-03-31
宽量程半导体参数分析仪30μV-1200V/1pA-100A测试
产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简 		2025-03-31
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